SiC erhöht die MFT-Frequenz: Erkenntnisse aus einem 180-kHz-SST

Miniaturisierung, Verluste und Isolation eines 180-kHz-SiC-Mittelfrequenztransformators.

Wide-Bandgap-Halbleiter ermöglichen höhere Schaltfrequenzen bei geringeren Schaltverlusten. Eine DOE-geförderte modulare SiC-SST-Studie demonstrierte 50 kVA, mehr als 6 kV AC und eine resonante DC/DC-Stufe bei rund 180 kHz. Frequenzerhöhung ist keine lineare Skalierung Das Kernvolumen kann sinken, gleichzeitig müssen Materialverluste, Skin- und Proximity-Effekt, Wirbelströme, parasitäre Kapazität und elektrische Felder neu berechnet werden. Bei Mittelspannungs-MFTs kann die Teilentladungsreserve früh zum Limit werden. Praxisempfehlung Das Kernmaterial ist anhand realer Wellenform, Temperatur und Flusshub auszuwählen. Im Prototyp sollten Wirkungsgrad, Hotspots, Streuinduktivität, Gleichtaktstrom und Teilentladung gemeinsam gemessen werden. Quelle: OSTI: Modular SiC High-Frequency SST