SiC 推动中频变压器升频：180kHz 级 SST 设计带来哪些启示

从 180kHz 级 SiC 固态变压器研究看中频变压器的小型化、损耗与绝缘设计。

宽禁带器件让中压功率变换器具备更高开关频率和更低开关损耗。由美国能源部支持的一项模块化 SiC 固态变压器研究，展示了 50kVA、6kV 以上交流输入以及约 180kHz 谐振 DC/DC 级的系统实现，为中频变压器的小型化提供了代表性案例。 升频不是简单缩放 随着频率提高，磁芯体积可以下降，但磁通密度、材料损耗、绕组趋肤与邻近效应、屏蔽层涡流和寄生电容必须重新计算。对于中压 MFT，绝缘介质中的电场分布和局部放电裕量往往比低压磁件更早成为限制条件。 工程建议 磁芯材料选择应基于实际波形、温度与磁通摆幅，而不是只看标称频率范围。样机测试应同步记录效率、热点温度、漏感、共模电流和局部放电数据。 资料来源： OSTI: Modular SiC High-Frequency SST